手飾0A7-712
- 型號手飾0A7-712
- 密度923 kg/m3
- 長度88757 mm
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圖片來源：手飾0A7-712復(fù)旦大學(xué)公眾號截圖面對摩爾定律逼近物理極限的全球性挑戰(zhàn)，手飾0A7-712具有原子級厚度的二維半導(dǎo)體是目前國際公認的破局關(guān)鍵，科學(xué)家們一直在探索如何將二維半導(dǎo)體材料應(yīng)用于集成電路中。據(jù)復(fù)旦大學(xué)公眾號消息，手飾0A7-712北京時間10月8日晚，手飾0A7-712復(fù)旦大學(xué)在《自然》（Nature）上發(fā)文，題目為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》（Afull-featured2Dflashchipenabledbysystemintegration），相關(guān)成果率先實現(xiàn)全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片，攻克新型二維信息器件工程化關(guān)鍵難題。今年4月，手飾0A7-712周鵬-劉春森團隊于《自然》（Nature）期刊提出破曉二維閃存原型器件，手飾0A7-712實現(xiàn)了400皮秒超高速非易失存儲，是迄今最快的半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)，為打破算力發(fā)展困境提供了底層原理。手飾0A7-712每日經(jīng)濟新聞綜合復(fù)旦大學(xué)公眾號封面圖片來源：每日經(jīng)濟新聞。因為它對材料質(zhì)量和工藝制造沒有提出更高要求，手飾0A7-712而且能夠達到的性能指標遠超現(xiàn)在的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，可能會產(chǎn)生一些顛覆性的應(yīng)用場景。當(dāng)前，手飾0A7-712國際上對二維半導(dǎo)體的研究仍在起步階段，尚未實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。從目前技術(shù)來看，手飾0A7-712存儲器是二維電子器件最有可能首個產(chǎn)業(yè)化的器件類型。
